
主 持 人:钟定永 教授
报告摘要: III-V族三结太阳电池在非聚光条件下的最高效率已达39.5%。在该类型芯片的研发过程中,亟需能够表征其内部光电特性的无损高精度诊断技术,以用于厘清各层子电池的设计优劣,并为器件综合性能的提升提供更精准的优化策略。已在产业界广泛应用的电致发光成像测量可诊断芯片内部的局部缺陷(如电极缺陷和裂纹);而绝对电致发光测量可有效地、定量地表征研发中的新材料与新结构的生长质量,更具推广价值。我们目前正致力于该方法的基础研究,同时探索基于绝对电致发光法标定标准电池的方法与应用,以及推动该测试方法的广泛普及。
个人简介: 秋山英文教授,东京大学物理学博士,贝尔实验室访问学者,现任东京大学物性研究所教授,日本工程院院士。所从事的研究领域包括:低维量子结构的光物性;具有精细纳米结构的新型半导体激光器及太阳电池的器件物理;对精细纳米结构的发光检测、定量测量、和图像测量技术;以及萤火虫生物化学发光检测等。自2012年起,从事III-V族多结电池器件的基础物理研究工作。曾在日本学术振兴会项目(JSPS),日本科学技术振兴机构战略创造研究推进项目(JST-CREST)支持下完成关于“III-V族化合物多结太阳电池”的理论效率极限分析、器件优化设计、内部光电特性测试、电池稳定性分析等课题的研究工作。近五年发表学术论文72篇,申请日本专利9项,国际会议特邀学术报告8次,获得的学术奖励有:Paper Award in Chemical Society of Japan (2005), Marubun Research Award (1999),Hamamatsu-Photonics Award on optical science and technology research promotion (1996),Corning Research Grant Award (1996)。